Wichteg Ausrüstung fir Mikroanalysetechniken enthalen: optesch Mikroskopie (OM), Duebelstrahl-Scannerelektronenmikroskopie (DB-FIB), Scannenelektronenmikroskopie (SEM) an Transmissiounselektronenmikroskopie (TEM).Den Artikel vun haut wäert de Prinzip an d'Applikatioun vun DB-FIB aféieren, konzentréiert sech op d'Servicefäegkeet vun der Radio- an Televisiounsmetrologie DB-FIB an d'Applikatioun vun DB-FIB op d'Halbleiteranalyse.
Wat ass DB-FIB
Dual-beam Scanning Elektronenmikroskop (DB-FIB) ass en Instrument dat de fokusséierten Ionenstrahl an de Scannen Elektronenstrahl op engem Mikroskop integréiert, an ass mat Accessoiren wéi Gasinjektiounssystem (GIS) an Nanomanipulator ausgestatt fir vill Funktiounen z'erreechen. wéi Ätzen, Materialdepositioun, Mikro- an Nanoveraarbechtung.
Ënnert hinnen beschleunegt de fokusséierten Ionenstrahl (FIB) den Ionenstrahl generéiert duerch flësseg Galliummetall (Ga) Ionquell, konzentréiert sech dann op d'Uewerfläch vun der Probe fir sekundär Elektronensignaler ze generéieren, a gëtt vum Detektor gesammelt.Oder benotzt staarke Stroum Ionenstrahl fir d'Probefläche fir Mikro- an Nanoveraarbechtung ze ätzen;Eng Kombinatioun vu physikaleschen Sputteren a chemesche Gasreaktiounen kann och benotzt ginn fir selektiv Metaller an Isolatoren ze ätzen oder ze deponéieren.
Haaptfunktiounen an Uwendungen vun DB-FIB
Haaptfunktiounen: Fixpunkt Querschnittveraarbechtung, TEM-Probevirbereedung, selektiv oder verstäerkt Ätzen, Metallmaterialablagerung an Isoléierschichtdepositioun.
Applikatiounsfeld: DB-FIB gëtt wäit an Keramikmaterialien, Polymeren, Metallmaterialien, Biologie, Halbleiter, Geologie an aner Fuerschungsberäicher a verbonne Produkttester benotzt.Besonnesch, DB-FIB seng eenzegaarteg Fixpunkt Iwwerdroung Probe Virbereedungsfäegkeet mécht et irreplaceable an der Halbleiterfehleranalysefäegkeet.
GRGTEST DB-FIB Service Fäegkeet
Den DB-FIB am Moment vum Shanghai IC Test- an Analyselaboratoire ausgestatt ass d'Helios G5 Serie vum Thermo Field, dat ass déi fortgeschratt Ga-FIB Serie um Maart.D'Serie kann Scannen Elektronenstrahl Imaging Resolutiounen ënner 1 nm erreechen, an ass méi optimiséiert wat d'Ionenstrahlleistung an d'Automatisatioun ugeet wéi déi viregt Generatioun vun zwee-Strahlen Elektronenmikroskopie.Den DB-FIB ass mat Nanomanipulatoren, Gasinjektiounssystemer (GIS) an Energiespektrum EDX ausgestatt fir eng Vielfalt vu Basis- a fortgeschratt Halbleiterfehleranalysebedürfnisser ze treffen.
Als e mächtegt Tool fir d'Halbleiter physesch Eegeschafte Echec Analyse, kann DB-FIB fix Punkt Querschnitt machining mat Nanometer Präzisioun Leeschtunge.Zur selwechter Zäit vun der FIB Veraarbechtung kann de Scannen Elektronenstrahl mat Nanometer Opléisung benotzt ginn fir d'mikroskopesch Morphologie vum Querschnitt ze beobachten an d'Zesummesetzung an Echtzäit ze analyséieren.Erreechen d'Oflagerung vu verschiddene metallesche Materialien (Wolfram, Platin, etc.) an net-metallesche Materialien (Kuelestoff, SiO2);TEM ultra-dënn Scheiwen kënnen och op engem fixen Punkt virbereet ginn, wat d'Ufuerderunge vun der ultra-héicher Opléisungsobservatioun um Atomniveau erfëllen kann.
Mir wäerte weider an fortgeschratt elektronesch Mikroanalyseausrüstung investéieren, kontinuéierlech verbesseren an erweideren Halbleiterfehleranalyse-Zesummenhang Fäegkeeten, a Cliente mat detailléierten an ëmfaassend Feeleranalyseléisungen ubidden.
Post Zäit: Apr-14-2024